位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台4月11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。[1]
目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由1000人的团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。
2018年4月9日中国电子信息博览会CITE2018在深圳盛大开幕。紫光集团在展会上以“从芯到云 紫光芯 强国梦”为主题，全线展出了“从芯到云”的全产业链关键产品与方案。紫光集团旗下长江存储研发的国内第一颗32层三维NAND闪存芯片，以前瞻的研发实力和卓越的性能，一举荣获本届中国电子信息博览会金奖。[2]
在芯片板块，紫光集团已经集合了芯片设计、生产、制造、封测、销售全产业链。紫光集团全球执行副总裁，紫光展锐CEO曾学忠表示：“紫光展锐在手机芯片设计领域的市场份额位居世界第三、中国第一。我们将继续在手机芯片设计领域，夯实中低端芯片的优势，持续向高端发展。紫光集团已经是全球前十、中国出货量最大的综合性IC设计企业，我们致力于成为一家伟大的芯片企业。”
除了移动通讯、物联网等芯片，紫光集团目前芯片业务还涵盖存储器、智能安全、可重构系统芯片（FPGA）、半导体功率器等，力争打造集成电路产业集群。
紫光集团正在利用重大历史机遇，在战略上加速人工智能、5G布局。紫光集团的5G研发也迈入了全球第一梯队，此次在CITE 2018上，紫光集团展出了紫光展锐的5G原型机Pivlot－V2平台，为5G试验及验证提供终端样机的解决方案，同时支撑展锐5G芯片的研发和验证。此前，紫光展锐与英特尔也已经达成在全球5G战略上的合作，将面向中国市场联合开发基于安卓生态及主流架构的高端5G智能手机平台。
NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。[3]
中国市场消耗了全球55%的存储芯片产能，杨士宁称在强大的市场需求及中国政府的财政支持下，长江存储科技公司将增强对现有几家存储芯片公司的竞争力。
参考文献
[1] 我国首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产 http://m.xinhuanet.com/2018-04/11/c_1122667806.htm
[2] 紫光集团32层三维NAND闪存芯片获CITE2018金奖，“从芯到云”再创新里程 http://www.sohu.com/a/227771152_452858
[3] 国产32层堆栈3D闪存2019年量产 2020年赶超国际先进技术 http://news.mydrivers.com/1/523/523722.htm